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[Intel 45nm研发进程]
High-k栅介质+金属栅极晶体管及Intel 45nm的产品研发进程时间如下。
2002年
此时这个项目在Intel实验室开始进行研究
2003年11月
High-k栅介质+金属栅极晶体管发布
2006年1月
45nmSRAM芯片发布
目前在CPU的逻辑分布中，二级缓存占据的硅芯片面积甚至大于运算核心。因此CPU在新制程推出之前，都会先发布SRAM芯片。SRAM的每一个比特位需要占用6个晶体管，存储密度很低，1MB容量的二级缓存就需要占用5000万个晶体管，这是一个相当惊人的数字。从Intel现有发展趋势来看，每隔两年CPU的二级缓存容量都会增大一倍。从Willamette（256KB）到Northwood（512KB）、到Prescott（1MB），移动领域的Banias（1MB）和Dothan（2MB）无不如此，以及Core 2 Duo双核心处理器4MB的二级缓存，晶体管规模翻倍增加。
2007年初
世界首款45nm中央处理器问世，同时有15款Penryn项目正在进行，而相对应的处理器产品将有几十款。
Intel公司首席技术官J.R.Rattner先生曾表示：一个新微处理器的开发往往需要4年的时间。而研究人员甚至在10年之前就在进行相应的探讨。45nm及高-k栅介质+金属栅极研发经历了5年左右的时间，同时Intel仍然是按照其发展时间表，如期推出45nm产品，由此也可见Intel在技术储备上的实力，相信32nm、22nm等产品已经在研发中。
同时在主要竞争对手方面， AMD新任制造生产副总裁Douglas Grose近日在接受路透社采访时表示，AMD的德国德累斯顿工厂在很长时间以前就已经使用45nm工艺造出了试验性芯片，AMD现在关注的是45nm。我们大概会在2008年第二季度拿出首批(45nm)产品，下半年全面投产。”
目前还不清楚AMD的45nm会采用何种具体生产技术。一方面，AMD可能会开发新的SOI工艺，以便快速部署45nm；另一名方面；AMD和IBM已经宣布，希望能在2008年将沉浸平版印刷术和ultra-low-k互连技术投入实用；另外，AMD和IBM也正在为45nm工艺开发high-k电介质，类似Intel，但用于45nm还是32nm尚未可知。
Douglas Grose说：“一切都要取决于什么是最有意义的以及我们的产品路线图。可能要到45nm工艺后期或者32nm阶段(才会更新工艺)。”
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