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[High-K和Metal-Gate]
而当面对45nm制程的时候，漏电成为了最难攻克的难题。从90nm到65nm，再到45nm，由于晶体管缩至原子大小的尺寸的同时，功耗和热能亦会同时增加，就会产生高功耗和不必要的发热，因此若继续采用目前材料，进一步减少厚度，闸极电介质的漏电情况势将会明显攀升，令缩小晶体管技术遭遇极限。这一点已成为过去10年来摩尔定律面临的最大技术挑战之一。如果不能解决这个漏电问题，摩尔定律也许就此终结……
凭借多年积累的研发经验以及创新的思维让Intel做出了一个惊人的决定：抛弃已采用了40余年的二氧化硅介质，采用已铪元素为基础的化合物High-K作为了栅极电介质。这样的决定，得以让45nm处理器的晶体管密度达到了65nm处理器的2倍。而且搭配铜线搭配 Low-k电介质的内部连接线 (interconnects) 不但大幅度降低了功耗和发热，而且还有效的加快了开关机的速度。
而新的High-K栅极电介质与现采用的硅铡极之间又不兼容，Intel也必需开发出新的金属栅极（Metal-Gate）材料。栅极可以看做是喻为控制水管的阀门，开启让水流过，关闭截止水流。晶体管的开启/关闭的速度就是我们说的频率，如果主频是1GHz，也就是晶体管可以在1秒钟开启和关闭的次数达10亿次。
现在High-K和Metal-Gate这两个关键词组已经完成，就是说45nm处理器已经完成。
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